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如何阅读功率MOSFET数据表

杰森·萨克斯(Jason Sachs)2015年9月15日12条评论

我的烦恼之一是当我的工程师们误解了组件数据表时。最近在单独的情况下发生了几次,所有情况都涉及功率MOSFET。因此,现在该是我上肥皂盒的时候了。听好了!

我打算发表一篇有关如何阅读组件数据表的文章。但是MOSFET是一个很好的起点,而且更加具体。我不是第一个写有关如何读取数据表的人。这是其他一些不错的文章:

什么是数据表?

这可能是一个愚蠢的问题,但是什么是数据表呢?该文档描述了制造商声称的组件的行为,外观,性能和限制。

本文以PDF格式提供,便于打印

好的,那是什么意思?

好吧,您确实必须阅读精美的印刷品。数据表中的信息,例如IRFP260N的RDS(上) V时最大0.04ΩGS = 10V,我D =在25°C的结温下为28A,是 断言, 一种 要求。它是 a 保证 要么 保证 除非制造商是这样说的, (一种) 您必须阅读精美的印刷品,并且 (b) 我不是律师,所以不要以我的建议为福音,请寻求自己的法律顾问。每个半导体制造商都有自己的精美印刷品,例如,以下是其中一些摘录:

飞兆半导体:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR保留更改的权利,恕不另行通知此处改进的任何产品 可靠性,功能或设计。 仙童不承担因应用或使用任何形式引起的任何责任 这里描述的产品或电路;依其专利权或任何其他权利,它均不转让任何许可。 这些规范不会扩展Fairchild的全球条款和条件,尤其是保修 在其中覆盖这些产品。

恩智浦

常规—本文档中的信息被认为是准确和 可靠。但是,恩智浦半导体不提供任何陈述或 关于此类准确性或完整性的明示或暗示保证 信息,对使用此类信息的后果不承担任何责任 information.

Vishay:

Vishay不承担因使用或应用此处描述的任何产品或任何产品而引起的任何和所有责任。 在法律允许的最大范围内提供此处提供的信息。产品规格不扩展或 否则修改Vishay的购买条款和条件,包括但不限于保修 其中适用于这些产品。

TI:

TI根据半导体产品销售条款和条件中的保证,保证其组件的性能符合销售时适用的规格。在TI认为支持该保修的必要范围内,使用了测试和其他质量控制技术。除非适用法律规定,否则不必对每个组件的所有参数进行测试

微芯片:

本出版物中包含的有关设备的信息 提供应用程序之类的内容只是为了您的方便 并可能会被更新所取代。您有责任 确保您的应用程序符合您的规范。 MICROCHIP不做任何陈述或 无论是明示还是明示的任何形式的保证 默示,书面或口头,法定或 与此相关的其他信息, 包括但不限于其条​​件, 质量,性能,适销性或 FITNESS FOR PURPOSE.

红外 的数据表只说“数据和规格如有更改,恕不另行通知”。

那么,工程师要做什么?我能最好地理解这一点-再一次,我是 律师—数据表本质上是对有关设备的信息的自信主张,但没有法律保证对其进行备份,至少不是从数据表中备份。

例如,IR确信,如果将栅极电压提高到高于IRFP260N的源极电压10V,并且在25°C的结温下让28A从漏极流向源极,那么导通电阻将不超过0.04 Ω。实际上,这意味着制造商有时会对制造商的每个组件进行特性描述和测试,有时不对它们进行描述。这为他们提供了所制造设备的性能特征的直方图。如果他们测试每台设备,但发现超过限制的设备,则将其丢弃。制造商拥有足够的信息,因此从统计学的角度来看,设备具有超出数据手册规格的任何特性的可能性非常小。他们不会告诉您这种可能性。但是很小十亿个设备中可能有一个可能超出了规格。

如果您确实需要法律保证,那么当您从制造商那里购买零件时,它必须是销售条款和条件的一部分。如果您是一家大公司,并且从半导体制造商那里购买了价值数百万美元的零件,那么您可以协商保修。我们其余的人(而且通常甚至不直接从制造商那里购买产品;而是从分销商那里购买产品)只需信任制造商即可。 hoo

另一方面,半导体制造商 希望支持其品牌标识,因此,如果您发现不符合其规格的零件,他们会想知道,以便他们找出原因,并确保不再发生。但是您可能没有遵循数据表中的所有规则;可能是您使设备过热或用静电放电对其进行了保护。在这种情况下,所有的赌注都不会生效-一旦您超过评分,就无法保证该设备能正常工作。我愿意打赌您在一周中的任何一天吃午饭,以确保零件符合数据表中的规格。

好的,足够的法律废话。记住,我不是律师。

一些例子

为了更具体一些,让我们看一些MOSFET数据表。所有这些都是N通道设备:

  • 红外 FP260N (200V40mΩTO-247AC),国际整流器(现为Infineon的一部分)
  • FQA70N15 (150V28mΩTO-3PN),飞兆半导体
  • SUP85N15 (150V21mΩTO-220AB),Vishay Siliconix
  • PSMN035-150P (150V35mΩTO-220AB),恩智浦
  • MCP87130 (25V13.5mΩ5x6-PDFN),Microchip Technology
  • CSD18542KCS (60V3.3mΩTO-220),德州仪器(Texas Instruments)

这些文档中的前三个遵循国际整流器(International Rectifier)在1980年代采用其HEXFET器件系列推出的“经典” MOSFET数据表格式。 红外 MOSFET数据表是一个长达8页的文档,几乎以礼拜式的形式描述了制造商希望您了解的有关特定器件的所有信息。

彼得·耶苏·多明
Rdson 是七欧姆。

红外 的MOSFET数据表按以下顺序包含以下部分:

  1. 概述,包括电压,导通电阻,额定电流和封装信息
  2. 绝对最大额定值表
  3. 热阻参数表
  4. 电气特性表
  5. 数字,包括
    • 典型特征图
    • 测试电路图
  6. 包装信息

大多数MOSFET制造商过去都遵循这个组织。 8页的数据表很不错,因为如果您有喜欢的组件,则可以将它们作为两页双面文档打印在两页纸上,然后放在三环活页夹中。称我为老式学校,但与在计算机屏幕上相比,在纸上阅读数据表更容易。

然后飞利浦半导体(现在的恩智浦)违反了惯例,做了自己的事。恩智浦的数据表中有同样的内容,但是顺序不同,因此如果您要选择MOSFET,则并排比较并不容易。在他们身上。

规格游戏

好的,现在该玩规范游戏了。

数据表中有几种信息。其中一些不涉及性能规格,因此我们在这里不再讨论它们:

  • 零件编号信息:例如,带后缀TR的部件号可能表示卷带式,或者带后缀Q的汽车级可能表示合格。
  • 包装信息:例如,包装是TO-247AC,以某种方式标记。
  • 行为规范: 微控制器 are full of these; for example, addresses 0x4000 和 0x4002 contain the 16-bit registers TMRFOOTMRBAZ which dictate the timer periods of the FOO 和 BAZ timers. MOSFET datasheets 做n’t contain these types of specs; instead, a MOSFET is an abstract concept that has certain general behaviors. Manufacturers endeavor to maintain these behaviors, 和 often publish separate application 不es about them. For example:
    • 红外 AN1084 功率MOSFET基础
    • 红外 AN936 使用MOS门控晶体管的注意事项
    • 红外 AN937 HEXFET®功率MOSFET的栅极驱动特性和要求
    • 红外 AN941 并联功率MOSFET
    • 红外 AN944 使用栅极电荷设计功率MOSFET和IGBT的栅极驱动电路
    • 红外 AN947 了解HEXFET®开关性能
    • 红外 AN949 功率半导体和热设计的额定电流
    • 红外 AN957 测量HEXFET®MOSFET特性
    • 红外 AN976 了解和使用功率MOSFET可靠性数据
    • 红外 AN1005 功率MOSFET雪崩设计指南
    • 红外 AN1012 国际整流器的功率半导体封装的安装注意事项
    • 红外 AN1040 使用功率MOSFET准动态模型的系统仿真
    • 仙童 AN558 功率MOSFET及其应用简介
  • 应用信息美国国家半导体的数据表可能包含最佳的应用信息示例-运算放大器和稳压器的示例电路小片段。看p。 15-23 LM358数据表, 例如。 MOSFET数据表没有这些。
  • 法律信息
  • 联系信息 (制造商的地址/电话号码/网站)
  • 不负责任的营销骗局 (“国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,可实现每硅面积极低的导通电阻。这种优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件,可广泛用于各种应用。”)

信息的其余部分属于四类之一。我将从IRFP260N数据表中展示每个示例:

  • 营销总结
  • 绝对最大额定值
  • 规格
  • 表征图

欢迎使用规范游戏!首先,您会看到市场营销摘要。营销摘要显示在数据表的顶部。其中包含一些稍后详述的详细规格的关键摘录。不要相信 任何东西 除非您可以在以后的规范中进行验证,否则请在此处列出。

这些是非正式声明。他们是 规范,因为这里没有足够的信息可以说出他们的意思。例如,“ VDSS = 200V”表示在给定的电流和温度下,漏极至源极的击穿电压至少为200V,但是除非您查看规格,否则您将找不到这些细节。一些制造商显示典型值,一些制造商显示最小值或最大值。

下一部分涵盖了设备的绝对最大额定值。

这是一张表格,告诉您如果您希望设备能够正常运行,则可以做的很多事情。如果您随时超过以上任何一项,请游戏结束。在这种情况下,超出绝对最大额定值后,制造商将不会在任何时候对设备的行为提供任何保证。 MOSFET可能会损坏。它可能工作正常。它可能会降低性能。它可能变成绿色,或开始跳舞,轻声说“玫瑰花蕾!”,尽管这不太可能。你就是不知道对于IRFP260N,有13个订单项。我将在本文后面详细介绍这些内容。

因此,要玩“规范游戏”,您必须愿意确保从未超过最大额定值。决不。

即便如此,在某些情况下,设备仍可能无法满足其剩余规格:例如,暴露于辐射,化学药品,静电释放或湿度过大的环境。

下一部分是最重要的部分,一个或多个规格表。

规格表具有三个重要的信息:

  • 参数的描述(符号和名称)
  • 数值说明,包括单位
  • 规范有效的条件。

该说明告诉您参数是什么,只要您对MOSFET有一定了解,它们就或多或少具有标准含义。

数值说明告诉您三件事之一。如果是最小值或最大值,则是已声明的限制,并且如果您信任制造商(在大多数情况下,您应该信任)并且您一直在所有绝对最大额定值之内,则可以预期设备行为将高于或低于指定的限制。大!

如果数字规格是 典型 值,这并不能真正告诉您太多,只是制造商在某些情况下建议使用的模糊数字,因为您无法得到更好的结果。 (对不起。)在某些情况下,它是表征数据的平均值,但制造商很少会说明这一点。 标为“典型”的值不代表限制,任何特定的设备都可能与典型值不同。 例如,查看漏极和源极电感值,典型值为5.0nH和13nH。如果要对设备行为进行一些粗略的估计,请确保继续并使用这些值。如果您必须依靠漏极和源极电感,那么运气不好–您必须以某种方式自行测量这些值;一个器件的漏极电感可能为2nH,另一器件的漏极电感可能为11nH。我们只是不知道。如果您与制造商关系良好(意味着您购买或计划购买许多他们的产品),那么也许您可以说服他们给您一份他们拥有的某些表征数据的副本……也许他们测试了50台设备,漏极电感的值为5.0nH,所有器件的介电常数在4.5至5.5nH之间。我们不知道,制造商已决定不对最小或最大电感提出任何要求。很有可能只是因为它太昂贵而无法在每台设备上进行测试。

规范的最后一个重要方面是该规范有效的条件集。这些是数值规格的条件。例如,RDS(上) 不能保证0.04Ω的极限 除非 您符合规格条件:结温TJ 必须为25°C(这是大多数规格的典型值),栅极至源极电压必须为10V,漏极电流必须为28A。如果您对设备执行29A,则所有投注均关闭;如果结温为30°C或栅极至源极电压为9.5V,则相同。在这三种情况下,导通电阻都会更高。

最后,数据表包括一个充满漂亮的特征图的部分:

这些显示了各种有用的信息,但是您需要记住的是,除非另有说明,否则它们始终是 典型。他们是这样 代表任何种类的规范。您只能将它们用于了解一般的定性行为。如果您需要确定的任何东西, 不能 依靠他们。它们可能代表大量样本设备的平均值。它们可能仅代表 特定的样本,测试工程师Bob恰好在老板说他们需要数据表的特性数据的那一天碰到了那个样本。

感谢您参与规范游戏!请记住,营销摘要无关紧要,典型的规格无关紧要,特性图也无关紧要……只有最小和最大规格才重要,只要您满足所有条件且不超过绝对最大额定值即可。

数据表的实用性

哇这听起来有点愤世嫉俗。我不相信数据表中一半的内容?真?!

诀窍是学习何时依赖数据表中的信息,以及如何将其用于什么目的。本质上, 除非数字是最小或最大规格的一部分,您必须先进行自己的独立验证才能使用它。

例如,采用标准化的导通电阻与温度关系图。

这是奇怪的事情。你知道RDS(上) 0.04Ω,我们一直在携带?这是数据表中的最大规格。但条件是结点温度为25°C。几乎没有人在结点为25°C的情况下运行MOSFET。您可能在室温环境下使用它,但是该设备会发热,并且结温通常高于25°C。假设我知道结温为100°C。我使用图4来确定在100°C时导通电阻将增加1.8倍,即0.072Ω。可能是正确的……但是,如果我需要依靠它,我需要自己进行测量以确认这一点。

有时,您会从经验中学到哪些设备参数之间存在很大的差异,哪些会趋于紧密地围绕均值。数据表中不会对此进行说明;您必须阅读制造商的应用笔记,联系其应用部门或进行自己的测试以得出此类结论。

重要资料:您需要了解的MOSFET规格

绝对最大值和规格表中有很多数字。这是你的 首先要知道。

  • 工作结点和储存温度范围。这是绝对最大额定值列表中最重要的项目。您将永远不会碰到的其他大多数项目。对于IRFP260N,温度为-55至+175°C。除非您处理航空航天问题,否则您可能不必担心-55°C的限制。剩下+175°C。大多数MOSFET的额定结温均为+ 150°C或+ 175°C。正确进行散热设计,并留出一定的余量,可以确保满足此要求。
  • 结间热阻RθJC。 0.50°C / W的热阻意味着结中耗散的每瓦功率,结温将比外壳温度高0.5°C。换句话说,\(T_J = T_C + R _ {\ theta JC} P_J \)其中\(P_J \)是结中的功耗。
  • 漏源击穿电压。 MOSFET可以在击穿电压以下以受控方式使用。该规范说,只要我将漏极至源极之间的电压保持在200V以下,漏极电流就不会超过250μA。一旦我超过200V,所有的赌注都关闭了。实际上,由于MOSFET用作动态开关,因此通常不使用200V MOSFET达到其满额额定电压;相反,我们使用某种降​​额来确保 开关瞬态期间的感性尖峰不超过击穿电压。降额幅度通常在60-70%之间;如果我想使用直流电压高达48V的系统,则应使用击穿电压额定值至少为75V的MOSFET。 60V MOSFET的设计裕度不足以处理来自48V电源的电感尖峰。
  • 静态漏源导通电阻RDS(上)。通常,这是最重要的性能特征。毕竟,您将设备用作开关,并且要确保在特定电流水平下,开关两端的压降是可以接受的。请记住,栅源电压VGS 和漏极电流是规格条件。大多数“常规”功率MOSFET的额定电压为10V VGS;一些逻辑电平MOSFET的额定电压为4.5V或5VGS;有时,您会发现指定在1.8-3.3V V范围内某处的低压MOSFETGS 范围。 如果您将MOSFET用作开关且不能满足导通电阻规格,请不要使用!!! 这意味着,如果您从3.3V系统获得逻辑电平输出,则应 使用规格为4.5V的MOSFET。没有足够的电压来保证完全打开。不要忘记仅仅因为您使用“ 5V”逻辑,也不意味着您的输出高电压将为5V。这就是为什么通常在4.5V V下指定逻辑电平MOSFET的原因s,以确保输出高电平高于此阈值。我一遍又一遍地看到这个错误。如果你不能满足Vs 规范中,漏源电阻通常会高于RDS(上) 规格它可能根本不具有抵抗性。在较低的Vs MOSFET的行为就像一个恒定电流吸收器,确切的电流量高度取决于器件之间的变化和结温。
  • 栅极阈值电压VGS(th)。这很重要,因为您应该知道它是什么 确实 是什么意思 意思。栅极阈值电压为 一些不可思议的电压,高于该电压,MOSFET被视为“导通”。 MOSFET刚开始导通时的电压。 红外 FP260N的漏极电流为250uA时为2.0-4.0V。如果您查看此规格并得出结论,GS 4.5V足以打开设备电源, 错误。您需要完整的10V。 但是,栅极阈值电压对确保器件的工作电压有用。 . 理想情况下,您希望栅极和源极之间的电压为零,以保持MOSFET截止。但是在这方面没有门极驱动器是完美的。它具有静态和动态特性,在其返回电源轨上方会有一些小的非零电压降。因此,如果我使用的逻辑芯片可以灌入0.5V甚至1.5V,那么关闭MOSFET可能是可以接受的,因为它低于2.0V的最小门限,因此流过的电流小于250uA 。请注意,对于电源应用而言,这可能很好,但对于信号应用而言,则为250uA,这是一个很大的数字,并且大多数MOSFET不能完全保持“关断”。
  • 登机口收费。这些规范是非常重要的数字。 MOSFET栅极具有电容性,其特性电容与电压呈非线性关系,但是您可以使用电荷来计算最坏情况下的开关时间。栅极电荷决定了MOSFET从ON到OFF再返回的速度。如果您知道栅极驱动器电流,只需将栅极总电荷除以电流即可。如果我有一个1A的栅极驱动器,则234nC最多需要234ns才能完全打开或关闭。栅极至漏极(“米勒”)电荷大致告诉我MOSFET通过其线性区域的速度,漏极电压将上升或下降的速度。 1A栅极驱动器将以其110nC的最大规格花费110ns的时间对栅极至漏极电容进行充电或放电。栅极电荷规范通常比电容规范(输入/输出/反向传输)有用得多,因为后者通常是典型的,并且通常仅在零栅极-源极电压下测量,并且它们是非常非线性的电容。
  • 开启,上升,关闭和下降时间。这些仅对了解最小切换时间有用。通常,您的栅极驱动电路无论如何都不会像这些数字一样快地切换,因此它们很有用,但只是作为参考。

就是这样!其余规格用于更高级的计算,您可能不会使用它们。

例如,“正向跨导”等级gfs 在处理MOSFET的20年经验中,我从未使用过这种东西。正向跨导是漏极电流与栅极电压的线性关系。 I时最小27S = 27A / VD = 28A和VDS = 50V意味着当栅极至源极电压刚好足以支持28A漏极电压时,如果将栅极电压再增加1mV,则漏极电流至少会增加27mA。好的。当然。随你。只是此规格发生在线性区域,而1400W的功率消耗在设备中。因此,它将告诉您一些有关开关电流,栅极电压增加到阈值电压以上时漏极电流的变化情况,但是该规范仅在一个特定的工作点上进行,因此实际上并没有用。

如果数据表中有您感兴趣或发现有用的规格,而我没有涉及,我很想听听!

重要特征图

我们已经看过图1和2:

它们代表了25°C和175°C时的典型器件行为。对于给定的栅极至源极电压,MOSFET具有四个重要的工作区域,此处未显示其中两个。

  • 如果漏源电压为负,则体二极管导通。
  • 如果漏极至源极的电压为正但足够低,则MOSFET的作用就像电阻。在对数对数图中,这显示为斜率为1的线。(在图1中,对于VGS = 4.5V至约1.1V VDS;对于VGS ≥8.0V,最高可达10V VDS)
  • 如果漏极至源极的电压很高但低于击穿电压,则MOSFET的作用就像一个恒定的电流吸收器。这在图中显示为水平线。
  • 如果漏极至源极电压高于击穿电压,则可能发生任何事情。 MOSFET可能会导通。

图2只是告诉您在高温下事物如何变化。 不要忘记: 这些是典型的图形,您不能依靠它们来决定“哦,好吧,我有一个只能输出8V电压的栅极驱动器,足够了。”确保符合RDS(上) 通过确保您有足够的电压来规范!!!如果规范说您需要10V,则需要10V。

我已经提到了图4,该图给出了归一化导通电阻与温度的关系。将该因子乘以RDS(上) 值在25°C时,您可以算出高温下的近似导通电阻。该图的向上凹形意味着在某些情况下看到恒定电流负载(或用于调节恒定电流)的MOSFET可能会发生热失控:结温升高会导致导通电阻增加,这会增加功耗,从而增加结点温度进一步升高。 kes。小心。

图5和图6与栅极电容有关:

图5显示了随着漏源电压的增加,电容的非线性下降。

图6显示了典型的栅极电荷与栅极-源极电压的关系图。曲线图的左斜率表示达到门限之前的初始导通。图中的平稳段表示何时漏极电流足以开始拉低漏极端子的电压。这是一个平稳阶段,因为它在漏极端子电压下降时大致保持恒定的漏极电流(=恒定的栅极-源极电压)。然后,一旦漏极电压降至最低并且MOSFET已完全导通,则栅极电荷的进一步增加对应于栅极至源极电压的增加。再次, 不要依靠该图来确定栅极至源极电压是否足够。 如果这样做,我将得出结论,5V足够了。对于一个特定的样本来说可能是正确的,但并非在所有设备上都如此。使用RDS(上) 规格以确保您的栅极至源极电压足够。

图7仅显示了反向漏极电流的典型二极管特性。

图8对于查看故障情况非常重要。与其他图形不同,它是 典型的特征图。该图表示单个脉冲的最大安全操作区域(SOA)。在任何给定的瞬间,MOSFET都应停留在虚线标记的区域内。如果我有一个10A的电流脉冲以10V的漏极至源极传导10ms的电流,那在SOA之内。如果我的漏极到源极之间有10V的100A电流,持续10ms,那太高了。在静电传导期间,您将不会看到这些类型的条件;左侧的向上倾斜线代表MOSFET完全导通时的电阻特性。这条线右边的操作意味着MOSFET正在导通或截止,或者没有充分导通。该图表示MOSFET可以处理100A和200V漏-源的故障情况,持续时间长达10μs。如果在200V电容器两端打开MOSFET且电流为100A,则只要您能在10μs内将其关断,它就能承受故障情况。如果其中一个晶体管短路,则可能在半桥中发生。

最后,图11显示了最大有效热阻。当MOSFET导通或关断时,这可用于计算动态条件下结到外壳的热上升。例如,假设MOSFET在100μs开关周期的20%占空比开关波形期间重复导通10A。这是20μs的接通时间,而80μs的断开时间。如果在20μs处发现D = 0.20曲线,我会看到热响应ZJ 约为0.11°C / W,而不是R的连续导通值θJC 在规范的热阻部分提到的温度为0.5°C / W。很有道理:在高开关频率下,MOSFET仅看到平均传导功率,因为​​该器件的热特性就像一个低通滤波器。在低开关频率下(此处的断点大约为10毫秒导通时间),而不是低通滤波器,当MOSFET导通时,结加热,而当MOSFET关断时,结冷却。

关于MOSFET的热特性,这就是我要说的, 我已经在另一篇文章中介绍了.

包起来

我们已经介绍了经典功率MOSFET数据表的大部分内容。归结为:

  • 数据表包含许多有用的咨询信息,但它们不是法律保证。
  • 如果使用特定组件,则必须满足绝对最大规格。违反绝对最大规格后,即使只是一瞬间,其余规格在任何时候都无效。
  • 最低和最高规格是数据表中您可以依赖的唯一其他部分。 (即使不是法律保证,它们也是实际的保证。)
  • 除非另外说明,否则特征曲线图会显示典型值-您可以从中学习定性行为,但不能在定量意义上依赖它们。
  • 当使用功率MOSFET作为开关时,除非您提供栅极至源极电压V,否则请不要依赖其行为s 至少是R中提到的值之一ds(on) 规范。低于这些值的栅极至源极电压不足以确保器件作为开关正常工作。
  • 有关功率MOSFET的更多信息,请参见制造商发布的应用笔记。

我还在其他几篇文章中介绍了功率MOSFET:

切换愉快!


©2015 Jason M. Sachs,保留所有权利。


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评论者 微软软件2015年10月27日
一款价格便宜的N-MOS电源是IRF540。通过SG1524脉宽调制器ic来驱动它,您可以设计巧妙的功率调制器。
我在希腊工厂生产的数百种开关电源和2KW 220伏正弦波功率逆变器中使用这种理想的组合。

Thanks.
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评论者 jms_nh2015年10月27日
请保持您的评论为主题...如果您对本文有任何疑问或评论,可以添加这种评论。此评论与文章无关。它不是垃圾邮件,因此我没有将其删除,但是您应该在将来牢记这一点。
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评论者 冲浪2015年9月18日
嗨,像往常一样有趣。
顺便说一句。贾森(Jason),我想问一下速度估算文章系列的第三部分何时终于问世。
提前致谢 :)
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评论者 jms_nh2015年9月18日
当我准备好出版时,它将出版。不太可能在不久的将来。
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评论者 微软软件2015年10月24日

功率N-MOS在栅极和源极之间的最大允许电压约为+18 伏特-N-MOS 与P香奈儿MOS相比,在导通状态下具有较低的体电阻(有些微欧姆)。因此,N-MOS是电源应用的理想选择,例如开关电源,电压逆变器等。您可以将许多MOS器件并联,而不会出现双极晶体管并联的问题(将功率电阻器连接到发射极)。功率N-MOS需要在栅极和源极之间存在约18伏的电压差,才能达到MOS体的最低电阻。一个好主意是驱动将其连接在N-MOS源极和地之间的负载。但是,现在您的栅极和源极之间将有18伏的电压差吗?例如,如果MOS的漏极连接到24伏,那么在导通状态下,负载(以此类推,源极)将处于24伏,但是现在我们将如何获得18伏的栅极-源极差? “ tric”是使用串联的电容器和电阻器并通过此RC网络驱动MOS的24伏电源电压的两倍。

谢谢。
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评论者 微软软件2015年10月27日
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评论者 微软软件2015年10月28日

您对我的回答超出了我的范围,我对此表示感谢,我对此表示赞赏。

谢谢。
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评论者 微软软件2015年10月28日
是的,介绍一些有关我认为的快速二极管非常重要。

谢谢。
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评论者 前言2018年2月28日

感谢您提供有用的文章。当我将阈值以上的电压施加到MOSFET和双极晶体管的栅极的电压高于阈值但源极-漏极电压较小时,会发生什么情况?在第一种情况下,我认为它破坏了mosfet的隔离。双极晶体管已安装了pn结。我可以施加多少电压而不会损坏该晶体管?你可以说?提前致谢。

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评论者 jms_nh2018年3月5日

我不确定您要问的是什么...数据表会在绝对最大值部分告诉您允许的栅源电压范围。

例如,对于IRPF260N,Vgs(栅极至源极电压)的最大范围为±20V。对于大多数MOSFET来说,这是非常典型的,但是每个部分的情况可能有所不同。 (我不得不努力寻找一个不是±最大20V;的 罗姆RE1C002UN 是额定电压为8V的示例。)

只要您在该范围内,就可以了。如果您超过这些额定值甚至一微秒,那么零件可能会遭受永久性损坏。

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评论者 前言2018年3月9日

再次感谢。我将确定双极性的数据表。关于mosfets,我可以肯定,因为它们的氧化物隔离非常薄。

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评论者 麦迪·赛德十一月19,2018

我在哪里可以找到完全打开晶体管的Vgs(短路)?,您说过不应使用最大表中的Vgs。

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